2SK3666-3-TB-E
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de peza | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Estado libre de chumbo / Estado RoHS |
| Prezo de referencia (en dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.173 | $0.123 | $0.081 | $0.048 | $0.037 | |
- Parámetro do produto
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- Folla de datos
Product parameter
| Número de peza | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Estado libre de chumbo / Estado RoHS | |
| Cantidade dispoñible | 556434 pcs |
| Folla de datos | 2SK3666 |
| Foto do produto | 2SK3666-3-TB-E-001.jpg , 2SK3666-3-TB-E-002.jpg |
| Categoría | Produtos semicondutores discretos |
| Tensión - Corte (VGS desactivado) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Paquete de dispositivos de provedor | 3-CP |
| Serie | - |
| Resistencia - RDS (activado) | 200 Ohms |
| Potencia - Máx | 200mW |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Paquete / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes | 869-1107-1 |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Descrición detallada | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Drenaje actual (Id): máx | 10mA |
| Actual - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Número de parte base | 2SK3666 |
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